전체 글68 삼성전자의 3D 구조 혁신, 290레이어 더블 스택, 홀 에칭 기술 비휘발성 메모리의 발전은 단순히 평면 크기를 줄이는 시대를 넘어 수직 건축 공학의 새로운 차원으로 진입하여, 실리콘 웨이퍼를 마치 초소형 마천루처럼 만들어 버렸습니다. 삼성전자는 세계 최초의 3D V-NAND 프로토타입을 개발한 데 이어, 현재 약 290개의 활성 셀 층을 쌓아 올린 기술적 걸작인 9세대 V-NAND를 통해 저장 밀도의 물리적 한계를 재정의하고 있습니다. 이처럼 끊임없이 고밀도를 향해 나아가는 것은 단순히 층을 더 쌓는 것만이 아니라, 채널 홀 에칭으로 알려진 플라즈마 물리학 법칙과의 치열한 싸움을 의미합니다. 엔지니어링 팀은 수백 개의 산화물 및 질화물층이 겹쳐진 구조에 수십억 개의 완벽하게 수직인 원통형 구멍을 휘거나 휘어짐 없이 뚫어야 하는 막대한 과제에 직면해 있습니다. 이 기사는.. 2025. 12. 29. 삼성전자의 급속한 성장 역사, HKMG 공정 혁신, EUV 리소그래피 장비 삼성전자의 DRAM 개발 역사는 디지털 시대의 기술적 축소판으로서, 폭발적으로 증가하는 CPU 처리 능력에 맞춰 메모리 대역폭을 최적화하기 위한 끊임없는 노력의 역사를 보여줍니다. 이러한 진화의 여정은 DDR1, DDR2, DDR3의 기초 시대에서 시작되었으며, 당시에는 단일 사이클 전송의 병목 현상을 극복하기 위해 "더블 데이터 레이트(Double Data Rate)" 아키텍처를 구축하는 데 주력했습니다. 그러나 업계가 나노미터 규모의 소형화를 향해 경쟁하면서 단순한 구조적 축소는 누설 전류라는 물리적 한계에 부딪혔습니다. 삼성전자는 기존의 이산화규소 절연재를 대체하여 전력 효율을 획기적으로 향상하는 소재 과학 혁명인 고유전율 금속 게이트(HKMG) 기술의 전략적 도입을 통해 이러한 장벽을 허물었습니다.. 2025. 12. 29. 삼성전자의 HBM3E 12층 구조, 턴키 솔루션 차별화, NVIDIA 배송 생성형 AI 기술 경쟁이 치열하게 펼쳐지는 가운데, 반도체 패권의 전장은 논리 프로세서에서 이를 구동하는 메모리 대역폭을 결정적으로 옮겨갔습니다. 삼성전자는 동일한 물리적 크기 내에서 최대 용량을 구현하도록 설계된 12단 HBM3E(5세대 고대역폭 메모리)를 공격적으로 출시하며 기존 양강 구도를 뒤흔들기 위한 중요한 전략을 펼치고 있습니다. 외부 파운드리 파트너를 활용하는 파편화된 생태계에 의존하는 경쟁업체와 달리, 삼성은 메모리 제조, 로직 파운드리, 첨단 패키징을 한 곳에 통합하는 수직적 통합 전략인 독자적인 "턴키 솔루션"을 핵심 차별화 요소로 활용하여 리드 타임을 단축하고 열 관리를 최적화하고 있습니다. 본 분석은 이러한 물류적 특이점과 삼성의 독자적인 TC-NCF(열압축 비전도성 필름) 기술이 .. 2025. 12. 28. 삼성전자의 LSI 사업부 역할, 엑시노스 모바일 AP, 아이소셀 이미지 센서 삼성전자가 메모리 반도체 산업에서 지배적인 위치를 차지하고 있다는 것은 널리 알려진 사실이지만, 미래 기술 리더십의 진정한 척도는 시스템 LSI 사업부에 달려 있다. 이 부서는 기업의 두뇌 역할을 하며, 현대 전자 기기의 실제 두뇌와 눈 역할을 하는 논리 반도체를 설계하는 전문적인 '팹리스' 조직으로 운영됩니다. 시스템 LSI의 전략적 로드맵은 두 가지 핵심 축으로 정의됩니다. 하나는 온디바이스 AI 시대를 위해 고성능 신경 처리 장치(NPU)를 통합하도록 적극적으로 발전하고 있는 Exynos 모바일 AP이고, 다른 하나는 인간의 눈에 필적할 정도로 빛 흡수 능력의 물리적 한계를 끊임없이 뛰어넘고 있는 ISOCELL 이미지 센서 기술입니다. 이 기사는 시스템 LSI 사업부가 이러한 컴퓨팅 및 광학 기술 .. 2025. 12. 28. 삼성전자의 DRAM 공정, 차세대 메모리 CXL, V-NAND 적층 기술 전 세계 반도체 산업이 무어 법칙의 물리적 한계에 직면하면서, 삼성전자는 인공지능 시대의 인프라를 재정의하기 위한 포괄적인 기술 혁명을 추진하고 있습니다. 삼성전자의 현재 로드맵은 단순한 소형화 추구가 아닌, 속도, 용량, 아키텍처 효율성을 동시에 고려하는 다차원적인 전략입니다. 이러한 전략적 전환은 극자외선(EUV) 리소그래피를 활용하여 전례 없는 비트 밀도를 달성하는 10억 나노미터 DRAM 공정을 중심으로 이루어지며, V-NAND 사업부는 수직적 물리 법칙의 한계를 뛰어넘어 1000층 적층이라는 비전을 실현하고자 합니다. 하지만 하드웨어 성능만으로는 현대 하이퍼스케일 데이터 센터의 엄청난 데이터 수요를 충족시킬 수 없습니다. Compute Express Link(CXL) 기술의 도입은 이러한 문제를.. 2025. 12. 28. 삼성전자의 TSMC 글로벌 점유율, 3나노 GAA 공정기술, 어드밴스 패키징 글로벌 반도체 제조라는 치열한 경쟁 속에서 삼성전자와 TSMC의 경쟁은 단순한 기업 경쟁을 넘어 기술의 미래를 좌우하는 지정학적 쟁점으로까지 발전했습니다. 현재 시장 점유율 데이터는 TSMC가 압도적인 선두를 차지하는 극명한 양극화를 보여주지만, 이러한 정적인 모습만으로는 표면 아래에서 일어나고 있는 지각변동을 제대로 포착할 수 없습니다. 세계 최초로 3나노미터 게이트 올 어라운드(GAA) 아키텍처를 구현하려는 삼성의 전략적 모험은 무어의 법칙을 오랫동안 제약해 온 물리적 한계에 도전하는 잠재적인 패러다임 전환을 의미합니다. 하지만 실리콘 패권 경쟁은 더 이상 프런트엔드 리소그래피만으로 결정되지 않습니다. 생성형 AI의 등장으로 첨단 패키징, 특히 2.5D 및 3D 통합을 통해 메모리와 로직을 수직으로 .. 2025. 12. 27. 이전 1 ··· 8 9 10 11 12 다음
